Nvidia просит Samsung, SK hynix и Micron делать базовые кристаллы памяти NVHBM по техпроцессу TSMC 3 нм; Samsung согласилась, пишет Seoul Economic Daily
Материал подготовлен Sintelligent с помощью ИИ. Опубликовано в SI: . Обновлено: .
Память для ИИ-ускорителей становится общим стандартом под Nvidia: даже конкуренты вынуждены делать её на одной фабрике.
По данным Seoul Economic Daily со ссылкой на отраслевые источники, Nvidia попросила Samsung Electronics, SK hynix и Micron — трёх поставщиков, которым поручено выпускать NVHBM, заказную память HBM, представленную в августе, — делать базовый кристалл по технологическому процессу TSMC 3 нм, а кристаллы памяти стандартизировать на шестом поколении DRAM (1c). NVHBM основана на архитектуре HBM4E. По этим данным, Samsung решила принять требования Nvidia и отойти от прежнего подхода, при котором сама выпускала и кристалл памяти, и базовый кристалл; для неё это первое сотрудничество с TSMC на производственном этапе HBM. Причина запроса, по тем же источникам, — разные способы производства у поставщиков мешают получить одинаковую производительность по одному проекту.
Источники 1